Моя заявка (0)
IRF9Z20PBF, Transistor: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070151348
Артикул
IRF9Z20PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.65mm
Pin Count
3
Вес, г
2
Серия
IRF9Z
Цена по запросу
(от 275 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-Chan 50V 9.7 Amp

Технические параметры

Width4.65mm
Pin Count3
Вес, г2
СерияIRF9Z
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation40 W
Typical Gate Charge @ Vgs17 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage50 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора26 nC
Maximum Drain Source Resistance280 mΩ
Maximum Continuous Drain Current6.1 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности40 W
Id - непрерывный ток утечки9.7 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация