Моя заявка (0)
IRF9Z10PBF, Transistor: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070179847
Артикул
IRF9Z10PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
EU RoHS
Compliant
Military
No
Цена по запросу
(от 610 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-Chan 60V 6.7 Amp

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2
СерияIRF9Z
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle
Package Width4.7(Max)
Package Height9.01(Max)
Package Length10.41(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
УпаковкаTube
Process TechnologyTrenchFET
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-220
Typical Fall Time (ns)31
Typical Rise Time (ns)63
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Maximum Power Dissipation (mW)43000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)12(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)170
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)10
Typical Gate to Drain Charge (nC)5.1(Max)
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Typical Gate to Source Charge (nC)3.8(Max)
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Maximum Continuous Drain Current (A)6.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)270@25V
Typical Reverse Recovery Charge (nC)96
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)500@10V
Размер фабричной упаковки50

Техническая документация