IRF9956PBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 2Вт [SOIC-8.] [EOL]
![IRF9956PBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 2Вт [SOIC-8.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 732260067
- Артикул
- IRF9956PBF
- Бренд
- International Rectifier
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- Enhancement Mode
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 3,5 А, SOIC-8; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 3,5 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,06 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs: 1 В; Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия HEXFET; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/2.2А, 10В |