IRF9952TRPBF, Транзистор N/P-МОП, полевой, 30/-30В, 3,5/-2,3А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061874080
- Артикул
- IRF9952TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.43
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.43 |
| Длина | 4.9 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC, 12 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ, 400 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A, 3.5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |