IRF9610SPBF, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642156
- Артикул
- IRF9610SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2.2
- Серия
- IRF
- Channel Type
- P Channel
- Package Type
- TO-263
Цена по запросу
(от 284,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 200V P-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 2.2 |
| Серия | IRF |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Drain Source On State Resistance | 3Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 1.8А |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |