IRF9610PBF, Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001145276
- Артикул
- IRF9610PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Width
- 4.7mm
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -1А, 20Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Width | 4.7mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IRF |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.49 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.7 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.7(Max) |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 8 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11(Max)@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Время нарастания | 15 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 170@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000@10V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
| Крутизна характеристики, S | 0.9 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.9 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |