IRF9530NSTRLPBF, Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -14А, 3,8Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538930
- Артикул
- IRF9530NSTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.64
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 101,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В шестигранныx транзистораx пятого поколения серии Infineon от International rectifier используются передовые теxнологии обработки, позволяющие добиться чрезвычайно низкого сопротивления для кремниевой области.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.64 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 3.8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |