IRF9510SPBF, Power MOSFET, P Channel, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8860132392
- Артикул
- IRF9510SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- D2PAK, TO263
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 3.93
- Серия
- IRF
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Chan 100V 4.0 Amp
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 3.93 |
| Серия | IRF |
| Gate charge | 8.7nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | D2Pak(TO-263) |
| Drain current | -2.8A |
| RoHS Compliant | Yes |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 43W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.2Ω |
| Drain-source voltage | -100V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 8.7 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом |