IRF9510PBF-BE3, MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025433359
- Артикул
- IRF9510PBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 118,25 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IRF9510PBF |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |