IRF9383MTRPBF, IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8002239039
Артикул: IRF9383MTRPBF
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г: 1
Длина: 6.35 mm
Channel Type: N
Package Type: Direct FET Medium Can

Datasheet IRF9383MTRPBFpdf, 260 КБ Техническая информацияpdf, 248 КБ

Цена по запросу

(от 260 ₽)

Минимальный заказ: 120 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A

Технические параметры

Вес, г	1
Длина	6.35 mm
Channel Type	N
Package Type	Direct FET Medium Can
Высота	0.7 mm
Ширина	5.05 mm
Mounting Type	Through Hole
Структура	MOSFET
Технология	Si
Вид монтажа	SMD/SMT
Особенности	-
Тип продукта	MOSFET
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка / блок	DirectFET-MX
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Канальный режим	Enhancement
Тип транзистора	2 P-Channel
Qg - заряд затвора	67 nC
Maximum Continuous Drain Current	160 A
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Полярность транзистора	P-Channel
Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Id - непрерывный ток утечки	22 A
Коммерческое обозначение	DirectFET
Размер фабричной упаковки	4800
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Чувствительный к влажности	Yes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Пороговое напряжение на затворе	-4 V, +22 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	208 mOhms

Техническая документация

Datasheet IRF9383MTRPBFpdf, 260 КБ Техническая информацияpdf, 248 КБ