IRF9335TRPBF, Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002245278
- Артикул
- IRF9335TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Длина
- 4.9 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях. Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой. В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.9 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | быстродействующий ключ |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.1 nC @ 15 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
| Крутизна характеристики, S | 5.4 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |