Моя заявка (0)
IRF9333TRPBF, Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048070389
Артикул
IRF9333TRPBF
Бренд
International Rectifier
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 88 ₽)
Минимальный заказ: 974 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 30V 9.2A с 8-контактным разъемом SOIC N T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.99(Max)
Package Length4.98(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOIC N
Process TechnologyHEXFET
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSO
Typical Fall Time (ns)49
Typical Rise Time (ns)44
ОсобенностиAdvanced Trench Technology
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)25
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14@4.5V|25@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)16
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)55
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)9.2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1110@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)19.4@10V
Крутизна характеристики, S22
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация