IRF9333PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033404276
- Артикул
- IRF9333
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
- Automotive
- No
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях. Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой. В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.21 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Supplier Package | SOIC N |
| Структура | P-Channel |
| Standard Package Name | SOP |
| Особенности | быстродействующий ключ |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 25 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 14@4.5VI25@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1110@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 19.4@10V |
| Крутизна характеристики, S | 13 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 142 мОм/5А, 10В |