IRF9321TRPBF, , Транзистор полевой , P-канальный, 30В, 15A, корпус SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024221094
- Артикул
- IRF9321TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Корпус | SOIC-8 |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT P-Ch-30V-15A 7.2mOhm |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 2590 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8В |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 145 |
| Typical Rise Time (ns) | 79 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34@4.5V|65@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.2 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 590 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 21 |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 185 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 16 |
| Заряд затвора, нКл | 98 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1.3 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 1.8 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 10 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 38 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 15 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2590@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 24 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.2@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 120 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 2.5 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 360@25V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 50 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -15 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 11.2 |