Моя заявка (0)

IRF9321PBF, P-канальный транзистор -30В, SO8

IRF9321PBF, P-канальный транзистор -30В, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060714838
Артикул
IRF9321PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Family
FETs-Single
Series
HEXFET®
Category
Discrete Semiconductor Products
FET Type
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях. Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой. В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Технические параметры

FamilyFETs-Single
SeriesHEXFET®
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
PackagingTube
Вес, г1
FET FeatureStandard
Power - Max2.5W
Mounting TypeSurface Mount
PCN PackagingPackage Drawing Update 19/Aug/2015
Online CatalogP-Channel Logic Level Gate FETs
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Design ResourcesIRF9321PBF Saber ModelIRF9321PBF Spice Model
Standard Package95
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 50µA
PCN Assembly/OriginMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Gate Charge (Qg) @ Vgs98nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package8-SO
Product Training ModulesHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A(Ta)

Техническая документация