Транзистор, SOIC-8, -55…+150°С, IRF9317TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057776705
- Артикул
- IRF9317TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 13 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SOIC |
| Корпус | SOIC-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 2820 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8В |
| Особенности | быстродействующий ключ |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V, 61 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.2 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Drain Source On State Resistance | 0.0054Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 16А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 36 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0054Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 10.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -2.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0054 Ом |