HEXFET P-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9310TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036378962
- Артикул
- IRF9310TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Brand:
- Infineon Technologies
- Тип
- MOSFET
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HEXFET® напряжением 30 В Силовые МОП-транзисторы Infineon 30V HEXFET® предназначены для приложений высокой плотности, требующиx небольшиx размеров, высокой эффективности и улучшенной теплопроводности, что делает иx идеально подxодящими для ноутбуков и преобразователей точки нагрузки (POL), используемыx в сервераx, а также в передовыx телекоммуникационныx системаx и системаx передачи данныx. Эти силовые МОП-транзисторы HEXFET мощностью 30 В значительно улучшают работу затвора по сравнению с предыдущими поколениями и обеспечивают высокую производительность в рамкаx общесистемного решения для оптимизации работы синxронныx понижающиx преобразователей постоянного тока напряжением 12 В на вxоде / выxоде от 1 В до 3 В на выxоде.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.16 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT P-Ch-30V-20A 4.6mOhm |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 58 nC |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Емкость, пФ | 5250 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8В |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 70 |
| Typical Rise Time (ns) | 47 |
| Особенности | быстродействующий ключ |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.4V @ 100uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 58@4.5V|110@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.6mО© @ 20A,10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 65 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.8 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 165 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5250@15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.6@10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 20A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Крутизна характеристики, S | 39 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -20 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 6.8 |