IRF9310TRPBF(IRF9310TRPBF транзистор)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017244497
- Артикул
- IRF9310TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Тип
- MOSFET
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF9310TRPBF от INFINEON - высококачественный компонент для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор выполнен в компактном корпусе SO8, предназначен для монтажа SMD и обладает впечатляющими электрическими характеристиками: ток стока достигает 20 А, напряжение сток-исток может быть до 30 В, а мощность устройства составляет 2,5 Вт. Продукт идеален для использования в высокопроизводительных схемах, где необходимы надежность и эффективность. Приобретая IRF9310TRPBF, вы получаете надежный транзистор от известного производителя INFINEON, который гарантирует длительный срок службы и стабильность работы ваших устройств. Код товара для удобства поиска и заказа: IRF9310TRPBF. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 20 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2.5 Корпус SO8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.16 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT P-Ch-30V-20A 4.6mOhm |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Емкость, пФ | 5250 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8В |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 70 |
| Typical Rise Time (ns) | 47 |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.4V @ 100uA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 58@4.5V|110@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.6mО© @ 20A,10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 65 |
| Заряд затвора, нКл | 165 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5250@15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.6@10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 20A(Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -20 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 6.8 |