Моя заявка (0)

IRF8915TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 7,1А; Idm: 71А; 2Вт; SO8

IRF8915TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 7,1А; Idm: 71А; 2Вт; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017566061
Артикул
IRF8915TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
2 N-Channel
Вес, г
0.4
Структура
MOSFET
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 8,9 А 18.3mOhm@8.9A,10В 2 Вт 2.5V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOIC-8 ROHS

Технические параметры

Type2 N-Channel
Вес, г0.4
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)2W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)7.4nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)540pF@10V
Continuous Drain Current (Id)8.9A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18.3mΩ@8.9A, 10V

Техническая документация