Моя заявка (0)

IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8

IRF8910TRPBF, , Транзистор , N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024844471
Артикул
IRF8910TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
MOSFET
Вес, г
1
Корпус
SOIC-8
Мощность
рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SP001555820

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г1
КорпусSOIC-8
Мощностьрассеиваемая(Pd)-2 Вт
ОписаниеMosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
УпаковкаREEL, 4000 шт.
Емкость, пФ960
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-2.55В
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Тип проводимости2N
Заряд затвора, нКл11
Линейка ПродукцииHEXFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10А
Рассеиваемая Мощность2Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.55В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А10
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*46*44/2000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0107Ом
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм13.4

Техническая документация