IRF840PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,1А, 125Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017528126
- Артикул
- IRF840PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Тип
- MOSFET
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IRF840 Транзистор IRF840 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса: ТО-220AB. Масса не более 2,5 г. Максимальное напряжение сток-исток: 500 В. Максимальный ток стока: 8,0 А. Статические сток-исток-сопротивление: 0,85 Ω. Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Power loss | 125 W |
| Вес, г | 1.95 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 8 A |
| max. Voltage | 500 V |
| Корпус | TO220AB |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.65(Max) |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.51(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-125 Вт |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 1300 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Особенности | - |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.3x10<sup>-8</sup> C |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 63(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 63(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 49 |
| Заряд затвора, нКл | 63 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 850 mΩ |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 8 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 850 |