IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003697349
- Артикул
- IRF840LCPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.93
- Длина
- 10.41мм
Цена по запросу
(от 324,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.93 |
| Длина | 10.41мм |
| Серия | IRF |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 9.01мм |
| Корпус | TO220AB |
| Ширина | 4.7 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
| Упаковка | Tube |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Тип канала | N |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Особенности | - |
| Номер канала | Поднятие |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Производитель | Vishay |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Материал транзистора | Кремний |
| Крутизна характеристики, S | 4000 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 39 нКл при 10 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 125 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
| Типичное время задержки выключения | 27 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 850 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |