Моя заявка (0)

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF840HPBF

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF840HPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030993481
Артикул
IRF840HPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Pin Count
3
Fall Time:
17 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 409,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay power обладает сниженными потерями при переключении и проводимости. Это наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления и экономичности.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Pin Count3
Fall Time:17 ns
Packaging:Tube
Rise Time:30 ns
Вес, г3
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220AB
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220AB-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:39 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSilicon
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage500 V
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:7.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.8 S
Maximum Continuous Drain Current8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:850 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация