IRF840BPBF-BE3, MOSFETs TO220 500V 8.7A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025465240
- Артикул
- IRF840BPBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- IRF
- Fall Time
- 22 ns
- Packaging
- Tube
- Rise Time
- 32 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные силовые МОП-транзисторы серии D Vishay / Siliconix Высоковольтные силовые МОП-транзисторы серии D - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы нового поколения от Vishay, доступные в номинальном напряжении 400 В, 500 В и 600 В. Эти новые устройства сочетают низкое удельное сопротивление при включении со сверxнизким зарядом затвора, током от 3,0 А до 36 А и доступны в широком ассортименте корпусов. Характеристики включают в себя новую высоковольтную полосовую теxнологию Vishay, пониженное сопротивление при включении до 0,13 Ом, заряд затвора до 6 НС, лучшее в своем классе время зарядки затвора при включении, коэффициент полезного действия (FOM) до 7,65 Ом НС и лавинообразный режим для надежной работы. Типичные области применения включают мощные и высокопроизводительные устройства с переключаемым режимом работы, включая серверные и телекоммуникационные системы питания, сварку, плазменную резку, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, балластное освещение, освещение с высокой интенсивностью разряда (HID), основное полупроводниковое оборудование и индукционный нагрев.
Технические параметры
| Series | IRF |
| Fall Time | 22 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 32 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | IRF840BPBF |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 30 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 34 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8.7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 850 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/5.2А, 10В |