IRF840ASTRRPBF, MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006217185
- Артикул
- IRF840ASTRRPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 4
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 338,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |