IRF840, Транзистор, N-MOSFET, 500В, 9А, 135Вт, 0.68Ом [TO-220.]
![IRF840, Транзистор, N-MOSFET, 500В, 9А, 135Вт, 0.68Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/620/DOC059620748.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001783127
- Артикул
- IRF840
- Бренд
- OSEN
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 36,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.68Ом |