IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8] [EOL]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 9000734167
Артикул: IRF8313TRPBF
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г: 0.15
Корпус: SOIC-8
Структура: 2 N-Channel
Особенности: Enhancement Mode

Цена по запросу

(от 108 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.

Технические параметры

Вес, г	0.15
Корпус	SOIC-8
Структура	2 N-Channel
Особенности	Enhancement Mode
Крутизна характеристики, S	23
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0155 Ом/9.7А, 10В

Техническая документация

Datasheet IRF8313pdf, 254 КБ