IRF830APBF, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070249518
- Артикул
- IRF830APBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Vishay Semiconductors
- Width
- 4.7mm
- Height
- 15.49 mm
Цена по запросу
(от 178,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay power имеет низкий уровень заряда затвора Qg, что упрощает требования к приводу, а также повышает надежность затвора, лавинного и динамического dV/ dt.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Width | 4.7mm |
| Height | 15.49 mm |
| Length | 10.41 mm |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.95 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1400 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4.5 |