IRF830APBF, полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 550 В, 4 А, TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007169943
- Артикул
- IRF830APBF
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Type
- 1PCSNChannel
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 3
- Корпус
- TO-220
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
550 В, 4 А, 33 Вт 2.2Ohm@10V,2 A 4 В при 250 мкА, 1 шт., канальный TO-220 МОП-транзисторов, ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 3 |
| Корпус | TO-220 |
| Упаковка | 50 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 74W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 620pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Тип проводимости | N |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@3A, 10V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*33*17/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 550 |