IRF830ALPBF, Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014509511
- Артикул
- IRF830ALPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- I2PAK, TO262
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- IRF
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 280,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay является N-канальным, корпус TO-263 - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 500 В и максимальным напряжением затвор-исток 30 В.
Технические параметры
| Case | I2PAK, TO262 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | IRF |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 24nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 5A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-262-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Power dissipation | 74W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 1.4Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 20A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |