Моя заявка (0)
IRF820ASPBF, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029431699
Артикул
IRF820ASPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
D2PAK, TO263
Military
No
Mounting
SMD
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 263,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 500V 2.5 Amp

Технические параметры

CaseD2PAK, TO263
MilitaryNo
MountingSMD
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1.5
СерияIRF
Gate charge17nC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current2.5A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Supplier PackageD2PAK
УпаковкаTube
Power dissipation50W
Process TechnologySingle
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance3Ω
Drain-source voltage500V
Pulsed drain current10A
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-263
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-263-3
Operating Temperature - (??C)-55~150
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора17 nC
Maximum Power Dissipation - (mW)50000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)17(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)17(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??30
Maximum Drain Source Voltage - (V)500
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current - (A)2.5
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)340@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)3000@10V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности50 W
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация