Моя заявка (0)

IRF820APBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB

IRF820APBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018801412
Артикул
IRF820APBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
RoHS
Details
Brand
Vishay Semiconductors
Цена по запросу
(от 190 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay power имеет низкий уровень заряда затвора Qg, что упрощает требования к приводу, а также повышает надежность затвора, лавинного и динамического dV/ dt.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
RoHSDetails
BrandVishay Semiconductors
Width4.7mm
SeriesIRF/SIHF820
EU RoHSCompliant
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
TechnologySi
Вес, г2.72
PCB changed3
Part StatusActive
Unit Weight0.211644 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerVishay
Package TypeTO-220AB
КорпусTO220AB
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Factory Pack Quantity50
Standard Package NameTO-220
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)12
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation50 W
Typical Gate Charge @ Vgs17 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage500 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Power Dissipation (mW)50000
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)17(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)17(Max)10V
Maximum Drain Source Resistance3 Ω
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)8.1
Maximum Continuous Drain Current2.5 A
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Typical Turn-Off Delay Time (ns)16
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)2.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)340 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3000 10V
Крутизна характеристики, S3
Пороговое напряжение на затворе2…4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3 ом при 1.5a, 10в

Техническая документация