IRF8010STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 80А, 260Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046373889
- Артикул
- IRF8010STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.7
Цена по запросу
(от 264 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Power Dissipation | 260 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |