Моя заявка (0)

IRF8010PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRF8010PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002238829
Артикул
IRF8010PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
81 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
260 W
Package
TO-220
Цена по запросу
(от 248 ₽)
Минимальный заказ: 82 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 260Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Q(g)81 nC
V(DS)100 V
P(tot)260 W
PackageTO-220
R(thJC)0.57 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
AutomotiveNO
TechnologyHEXFET
Вес, г1
Длина10 mm
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Высота15.65 mm
КорпусTO-220AB
Ширина4.4 mm
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V15 mOhm
Fast bodydiodeNO
RoHS CompliantYes
I(D)at Tc=25°C80 A
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора81 nC
Maximum Continuous Drain Current80 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности260 W
Другие названия товара №SP001575444
Id - непрерывный ток утечки80 A
Крутизна характеристики, S-
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт260
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация