Моя заявка (0)

DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V DirectFET ISOMETRIC IRF7946TRPBF

DirectFET N-Channel MOSFET, 198 A, 40 V DirectFET ISOMETRIC IRF7946TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009710053
Артикул
IRF7946TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
5.05mm
Series
DirectFET
Вес, г
5
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 627 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.

Технические параметры

Width5.05mm
SeriesDirectFET
Вес, г5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDirectFET ISOMETRIC
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Maximum Power Dissipation96 W
Typical Gate Charge @ Vgs141 nC @ 20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance1.4 mΩ
Maximum Continuous Drain Current198 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А198
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация