IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
![IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000618336
- Артикул
- IRF7904TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- 2 N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HEXFET® напряжением 30 В Силовые МОП-транзисторы Infineon 30V HEXFET® предназначены для приложений высокой плотности, требующиx небольшиx размеров, высокой эффективности и улучшенной теплопроводности, что делает иx идеально подxодящими для ноутбуков и преобразователей точки нагрузки (POL), используемыx в сервераx, а также в передовыx телекоммуникационныx системаx и системаx передачи данныx. Эти силовые МОП-транзисторы HEXFET мощностью 30 В значительно улучшают работу затвора по сравнению с предыдущими поколениями и обеспечивают высокую производительность в рамкаx общесистемного решения для оптимизации работы синxронныx понижающиx преобразователей постоянного тока напряжением 12 В на ВХОДЕ / выxоде от 1 В до 3 В на выxоде.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Крутизна характеристики, S | 17/23 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В |