IRF7855TRPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 12А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539392
- Артикул
- IRF7855TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7855TRPBF производства INFINEON – это высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С основными характеристиками тока стока 12 А и напряжением сток-исток 60 В, данный N-MOSFET транзистор идеален для использования в различных электронных устройствах, требующих надежного управления мощностью. Мощность данного компонента составляет 2,5 Вт, что обеспечивает его эффективную работу в различных схемах. Корпус SO8 обеспечивает удобство монтажа и компактность, что делает IRF7855TRPBF предпочтительным выбором среди специалистов электронной индустрии. Обратите внимание, что для заказа используйте наименование IRF7855TRPBF без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 12 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 2.5 Корпус SO8
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.12 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | IRF7855TRPBF SP001555708 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |