IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
![IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000618338
- Артикул
- IRF7842TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 81
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7842TRPBF от производителя INFINEON - это высокопроизводительный компонент, предназначенный для современных электронных схем. Оснащенный корпусом SO8 для поверхностного монтажа (SMD), этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 18 Ампер и поддерживает напряжение сток-исток до 40 Вольт, при этом его мощность составляет 2,5 Ватт. Данный транзистор отличается надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для разнообразных электронных применений. Продукт под кодом IRF7842TRPBF станет ключевым компонентом в вашей электронной аппаратуре, обеспечивая ее стабильную и эффективную работу. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 2.5 Корпус SO8
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 81 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.005 Ом/17А, 10В |