Транзистор, SOIC-8, -55…+155°С, IRF7842TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057775597
- Артикул
- IRF7842TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7842TRPBF от производителя INFINEON - это высокопроизводительный компонент, предназначенный для современных электронных схем. Оснащенный корпусом SO8 для поверхностного монтажа (SMD), этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 18 Ампер и поддерживает напряжение сток-исток до 40 Вольт, при этом его мощность составляет 2,5 Ватт. Данный транзистор отличается надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для разнообразных электронных применений. Продукт под кодом IRF7842TRPBF станет ключевым компонентом в вашей электронной аппаратуре, обеспечивая ее стабильную и эффективную работу. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 2.5 Корпус SO8
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOIC-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 4500 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Тип проводимости | N |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Крутизна характеристики, S | 81 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+155 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*48*50/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |