IRF7832TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 20А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061941020
- Артикул
- IRF7832TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и свинцовые корпуса.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 6.7 ns |
| Вес, г | 0.13 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 4310 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2.32 В |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.32V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Maximum Operating Temperature | +155 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.32V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.39V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 77 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4mО© @ 20A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 51 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 20A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.32 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+155 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 20 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 3.7 |