IRF7832PBF Транзисторы полевые
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073144644
- Артикул
- IRF7832PBF
- Бренд
- IRF
- Series
- HEXFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 59 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 30 В, 20 А, SOIC-8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 20 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0031 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2,32 В; По
Технические параметры
| Series | HEXFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 155В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A(Ta) |