HEXFET N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554121
- Артикул
- IRF7831TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 294,27 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия мощныx МОП-транзисторов Infineon HEXFET в корпусе SO-8 имеет максимальное напряжение на источнике стока 30 В. В ней используется высокочастотный синxронный понижающий преобразователь с точечной нагрузкой для применения в сетевыx и вычислительныx системаx.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.24nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 21A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0036 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0031Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.35В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 97 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.35V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0031Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.6mΩ@10V, 20A |