Моя заявка (0)

Транзистор полевой IRF7831PBF MOSFET N-CH 30V 21A

Транзистор полевой IRF7831PBF MOSFET N-CH 30V 21A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070017825
Артикул
IRF7831PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFETВ®
FET Type
N-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±12V
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IRF7831PBF — изделие серии IRF783. Характеристики Обозначение: IRF7831PBF Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 30V 21A Масса: 0.104 г Производитель: Infineon Единица измерения: шт

Технические параметры

SeriesHEXFETВ®
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerInfineon Technologies
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 250ВµA
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta)
Supplier Device Package8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6240pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C21A(Ta)

Техническая документация