Моя заявка (0)

IRF7815TRPBF, , Полевой N-канальный транзистор , 150В, 5,1A, корпус SOIC-8

IRF7815TRPBF, , Полевой N-канальный транзистор , 150В, 5,1A, корпус SOIC-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024844472
Артикул
IRF7815TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
MOSFET
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
SOIC-8
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IRF7815TRPBF, SP001551548

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусSOIC-8
Мощностьрассеиваемая(Pd)-2.5 Вт
ОписаниеMOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
УпаковкаREEL, 4000 шт.
Power Dissipation2.5Вт
Емкость, пФ1647
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-5 В
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Тип проводимостиN
кол-во в упаковке4000
Drain Source On State Resistance0.034Ом
Линейка ПродукцииHEXFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5.1А
Рассеиваемая Мощность2.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А5.1
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во59*46*46/1000
Максимальное напряжение сток-исток, В20/-20
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.034Ом

Техническая документация