Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238531
Артикул
IRF7809AVTRPBF-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.15
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
4.1W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.15
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)4.1W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)6.8nC@5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)800pF@15V
Continuous Drain Current (Id)13A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)73pF@15V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8mΩ@10V, 10A