Моя заявка (0)

Транзистор полевой IRF7807ZTRPBF MOSFET N-CH 30V 11A

Транзистор полевой IRF7807ZTRPBF MOSFET N-CH 30V 11A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070017822
Артикул
IRF7807ZTRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4mm
Series
IRF7807ZPbF
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 8 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IRF7807ZTRPBF — изделие серии IRF780. Характеристики Обозначение: IRF7807ZTRPBF Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-CH 30V 11A Корпус: SO-8 Маркировка: "F7807Z" Масса: 0.08 г Производитель: Infineon Единица измерения: шт

Технические параметры

Width4mm
SeriesIRF7807ZPbF
Pin Count8
Вес, г0.1
Длина4.9 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSO-8
Высота1.75 mm
Ширина3.9 mm
Mounting TypeSurface Mount
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1V
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation2.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs7.2 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокSO-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage1.35V
Qg - заряд затвора7.2 nC
Maximum Drain Source Resistance18.2 mΩ
Maximum Continuous Drain Current11 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Другие названия товара №SP001570494
Id - непрерывный ток утечки11 A
Размер фабричной упаковки4000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V

Техническая документация