Моя заявка (0)
IRF7805TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048128908
Артикул
IRF7805TRPBF
Бренд
International Rectifier
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 575 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный MOSFET N-CH 30V 13A 8-контактный SOIC T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width4(Max)
Package Length5(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOIC
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSO
Typical Fall Time (ns)16
Typical Rise Time (ns)20
Особенности-
Typical Switch Charge (nC)8.2
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)22@5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±12
Typical Turn-On Delay Time (ns)16
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)38
Typical Gate to Drain Charge (nC)6.8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3
Typical Gate to Source Charge (nC)3.7
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)13
Typical Reverse Recovery Charge (nC)88
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)11@4.5V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)30@2V|11@3V|10@4V|9.8@5V|9.5@6V|9@7V|8.9@8V|8.8@9V|8.8@10V
Крутизна характеристики, S38
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация