Моя заявка (0)

IRF7759L2TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R

IRF7759L2TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002243524
Артикул
IRF7759L2TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 890 ₽)
Минимальный заказ: 99 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 75V 26A с 15-контактным прямым выводом L8 T/R

Технические параметры

PPAPNo
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count15
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed15
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Octal Source Hex Drain
Package Width9.15(Max)
Package Length7.1(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDirect-FET L8
Maximum IDSS (uA)20
Process TechnologyDirectFET
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)33
Typical Rise Time (ns)37
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3300
Typical Gate Charge @ 10V (nC)200
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)200@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)18
Maximum Drain-Source Voltage (V)75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)80
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)26
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)12222@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)2.3@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)1.8@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация