Моя заявка (0)

IRF7739L1TRPBF, DirectFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V DirectFET

IRF7739L1TRPBF, DirectFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V DirectFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057891562
Артикул
IRF7739L1TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
42 ns
Rise Time:
71 ns
Tradename:
DirectFET
Цена по запросу
(от 850 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:42 ns
Rise Time:71 ns
Tradename:DirectFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DirectFET-L8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:220 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)3.8W;125W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:125 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)330nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)11.88nF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:56 ns
Continuous Drain Current (Id)46A;270A
Id - Continuous Drain Current:270 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:280 S
Rds On - Drain-Source Resistance:700 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А270
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация