IRF7739L1TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 270А, 125Вт, DIRectFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437455
- Артикул
- IRF7739L1TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 42 ns
- Rise Time:
- 71 ns
- Tradename:
- DirectFET
Цена по запросу
(от 624,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 42 ns |
| Rise Time: | 71 ns |
| Tradename: | DirectFET |
| Вес, г | 0.45 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DirectFET-L8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 220 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;125W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 330nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.88nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 46A;270A |
| Id - Continuous Drain Current: | 270 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 280 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 700 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 270 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1mΩ@10V, 160A |